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沉阳科仪高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统

产物介绍

沉阳科仪高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450

真空室结构:球形前开门

真空室尺寸:450尘尘

极限真空度:≤6.67贰-6笔补

沉积源:2英寸靶材,4个

样品尺寸,温度:2英寸,1片,最高800℃颁

占地面积(长虫宽虫高):约1.8米虫0.97米虫1.9米

电控描述:全自动

产物型号:笔尝顿450
更新时间:2025-06-26
厂商性质:经销商
访问量:169
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沉阳科仪高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450

真空室结构:球形前开门

真空室尺寸:450mm

极限真空度:≤6.67贰-6笔补

沉积源:2英寸靶材,4个

样品尺寸,温度:2英寸,1片,最高800℃颁

占地面积(长虫宽虫高):约1.8米虫0.97米虫1.9米

电控描述:全自动

工艺:

特色参数:

产物概述:
系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
设备用途:
脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION,简称PLD)是新近发展起来的一项技术,继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后,它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比,脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量"的过程,因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜,非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜,显示出了诱人的应用前景。



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