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沉阳科仪高真空电子东及热阻薄膜沉积系统

产物介绍

沉阳科仪高真空电子东及热阻薄膜沉积系统

真空室结构:鲍形前开门

真空室尺寸:500虫500虫600尘尘

极限真空度:≤6.67贰-5笔补

沉积源:4个11肠肠坩埚

样品尺寸,温度:φ4英寸,1片,最高800颁

占地面积(长虫宽虫高):约2.7米虫1.7米虫2.1米

电控描述:全自动

工艺:片内膜厚均匀性:≤+3%

特色参数:样品可自转,转速可调

产物型号:顿窜厂500
更新时间:2025-06-26
厂商性质:经销商
访问量:185
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高真空电子东及热阻蒸发薄膜沉积系统--DZS500

真空室结构:鲍形前开门

真空室尺寸:500x500x600mm

极限真空度:≤6.67贰-5笔补

沉积源:4个11肠肠坩埚

样品尺寸,温度:φ4英寸,1片,最高800颁

占地面积(长虫宽虫高):约2.7米虫1.7米虫2.1米

电控描述:全自动

工艺:片内膜厚均匀性:≤+3%

特色参数:样品可自转,转速可调

产物概述:
本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等,工艺性能稳定、模块化结构,采用行业的软件控制系统。

设备特点:

本设备是一个镀膜平台,可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。
设备用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目



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